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申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日：2021-05-21
公开（公告）日：2024-04-30
公开（公告）号：CN113299647B
主分类号：H01L27/088
分类号：H01L27/088
优先权：["20200522 US 63/029,018","20210309 US 17/195,984"]
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.04.30#授权;2021.09.10#实质审查的生效;2021.08.24#公开
摘要：一种包含鳍式场效晶体管的半导体装置包含第一半导体鳍片，此第一半导体鳍片是形成在基材上并沿着第一横轴延伸。此半导体装置包含第二半导体鳍片，此第二半导体鳍片亦被形成在基材上并沿着第一横轴延伸。第一半导体鳍片的至少一个尖端部分和第二半导体鳍片的至少一个尖端部分沿着第二横轴朝彼此弯曲，第二横轴是垂直于第一横轴。
主权项：1.一种半导体装置，其特征在于，该半导体装置包含：一第一半导体鳍片，形成在一基材上并沿着一第一横轴延伸；一第二半导体鳍片，亦形成在该基材上并沿着该第一横轴延伸；其中该第一半导体鳍片的至少一尖端部分和该第二半导体鳍片的至少一尖端部分沿着一第二横轴朝彼此弯曲，该第二横轴是垂直于该第一横轴；以及一金属栅极结构，该金属栅极结构沿着该第二横轴延伸并跨越该第一半导体鳍片和该第二半导体鳍片。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 包含鳍式场效晶体管的半导体装置
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