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申请/专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日：2020-06-05
公开（公告）日：2024-04-30
公开（公告）号：CN113345905B
主分类号：H10B41/20
分类号：H10B41/20;H10B43/20
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.04.30#授权;2021.09.21#实质审查的生效;2021.09.03#公开
摘要：本文公开了具有阶梯结构的3D存储器件及用于形成其的方法的实施例。在一个示例中，该3D存储器件包括存储阵列结构和阶梯结构。该阶梯结构位于存储阵列结构的中间，并且沿横向方向将存储阵列结构划分成第一存储阵列结构和第二存储阵列结构。该阶梯结构包括沿横向方向延伸的多个台阶、以及与存储阵列结构接触的桥接结构。这些台阶包括一个或多个电介质对上方的台阶。该台阶包括电连接到桥接结构的导体部分，并且通过桥接结构电连接到存储阵列结构。沿着垂直于横向方向的第二横向方向并且远离桥接结构，导体部分的宽度减小。
主权项：1.一种三维3D存储器件，包括：存储阵列结构；以及阶梯结构，其在所述存储阵列结构的中间，并且沿横向方向将所述存储阵列结构划分成第一存储阵列结构和第二存储阵列结构，所述阶梯结构包括：i沿所述横向方向延伸的多个台阶；以及ii与所述第一存储阵列结构和所述第二存储阵列结构接触的桥接结构，其中，所述多个台阶中的台阶包括：在所述台阶的顶表面上并与所述桥接结构接触且电连接到所述桥接结构的导体部分，以及与所述导体部分在同一层级处且与所述导体部分接触的电介质部分，所述台阶通过所述桥接结构电连接到所述第一存储阵列结构和所述第二存储阵列结构中的至少一个，其中，所述导体部分沿着所述横向方向在靠近所述桥接结构处进一步延伸到与所述台阶紧邻的上部台阶的下部并与所述电介质部分相接触。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 长江存储科技有限责任公司 三维存储器件中的阶梯结构及用于形成其的方法
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