申请/专利权人：无锡市查奥微电子科技有限公司

申请日：2022-04-27

公开（公告）日：2024-04-30

公开（公告）号：CN114899242B

主分类号：H01L29/872

分类号：H01L29/872;H01L29/06;H01L29/45;H01L21/329

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.30#授权;2022.08.30#实质审查的生效;2022.08.12#公开

摘要：本发明公开了一种高抗浪涌能力的碳化硅结势垒肖特基二极管，包括由下至上依次设置的阴极接触层、衬底、位于衬底上方的具有第一导电类型的漂移层以及阳极金属层；漂移层其远离衬底的一面设有若干个间隔设置的第一P+掺杂层以及若干个间隔设置的第二P+掺杂层，第一P+掺杂层的结深相同，第二P+掺杂层的结深也相同但第一P+掺杂层的结深与第二P+掺杂层的结深不同；第一P+掺杂层与第二P+掺杂层的导电类型与漂移层不同。本发明还公开了高抗浪涌能力的碳化硅结势垒肖特基二极管的生产工艺，标记刻蚀、离子注入掩膜形成、第一P+掺杂层或第二P+掺杂层的P+离子注入、注入掩膜去除且退火掩膜形成、退火掩膜去除、生长钝化膜及欧姆金属层形成等。

主权项：1.高抗浪涌能力的碳化硅结势垒肖特基二极管的生产工艺，其特征在于，包括如下工艺步骤：标记刻蚀、离子注入掩膜形成、第一P+掺杂层或第二P+掺杂层的P+离子注入、注入掩膜去除且退火掩膜形成、退火掩膜去除、生长钝化膜及欧姆金属层形成、光刻形成肖特基窗口、沉积肖特基金属、肖特基退火、金属加厚、光刻胶正面钝化保护及背面金属加厚；场限环为P+掺杂层，采用刻蚀工艺制成；在所述光刻胶正面钝化保护工序中，在钝化层上旋涂光刻胶，旋涂的光刻胶形成的形状与肖特基接触图案相一致，腐蚀钝化层开孔后，再沉积生长金属Ni，金属剥离；在前述在钝化层上旋涂光刻胶这一步骤中，采用同步调节间距机构调整钝化层上相邻光刻胶条的间距；同步调节间距机构包括一对出胶头与两根平行设置的齿条，两个出胶头位于同一根齿条下端面下方，两个出胶头其中一个固定设置在一根齿条的下端面上，另一个固定设置在另一根齿条下方的折板下表面上，折板呈L形且其中一段的长度与两根齿条的间距相匹配，两根齿条其相对的侧面上均设有齿形，与两根齿条啮合设有齿轮，齿轮的轮轴与减速电机的输出轴固定相连，减速电机固定连接在滑板上，滑板上向上突出设有滑块，滑板上方设有包含与滑块适配设置滑槽的座板，滑槽呈矩形槽状且其长度方向与齿条的长度方向垂直，滑板通过第二减速电机驱动而沿座板的滑槽滑动，实现长条状第一P+掺杂层或第二P+掺杂层的光刻胶的旋涂，第二减速电机固定连接在座板上，第二减速电机的输出轴与丝杠螺母机构的丝杠相连，以驱动螺母往复移动，由此带动与螺母固定相连的滑板的往复滑动；所述高抗浪涌能力的碳化硅结势垒肖特基二极管，包括由下至上依次设置的阴极接触层、衬底、位于衬底上方的具有第一导电类型的漂移层以及阳极金属层；漂移层其远离衬底的一面设有若干个间隔设置的第一P+掺杂层以及若干个间隔设置的第二P+掺杂层，第一P+掺杂层的结深相同，第二P+掺杂层的结深也相同但第一P+掺杂层的结深与第二P+掺杂层的结深不同；第一P+掺杂层与第二P+掺杂层的导电类型与漂移层不同；漂移层其远离阴极接触层的一面设有有源区与位于有源区外围的终端区，所述第一P+掺杂层与第二P+掺杂层即设置在有源区；终端区内设有场限环且场限环的数量为30~50个；终端区的顶面高度上低于有源区的顶面；终端区其靠近有源区的边缘处设有宽度上大于第一P+掺杂层宽度的边界注入层，边界注入层与第一P+掺杂层设有间距。

全文数据：

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