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申请/专利权人：苏州英嘉通半导体有限公司
申请日：2022-04-12
公开（公告）日：2024-04-30
公开（公告）号：CN114743953B
主分类号：H01L23/544
分类号：H01L23/544;H01L21/66
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.04.30#授权;2022.07.29#实质审查的生效;2022.07.12#公开
摘要：本发明揭示了一种漏电流测量结构及测量方法，所述测量结构包括外延结构及位于外延结构上的若干钝化层、位于外延结构上的金属接触层及位于外延结构和或钝化层上的若干金属层，所述外延结构中形成有二维电子气，所述金属接触层与二维电子气电性连接，所述金属层包括位于二维电子气上方区域的金属块及金属环，所述金属块位于金属环内部，且金属块和金属环分离设置，所述测量结构用于测量沿金属层下方界面方向的第一漏电流和或垂直于金属层下方界面方向的第二漏电流。本发明测量结构中通过外延结构上金属层及钝化层的设置，可以测量各界面上的漏电流等参数，测量方法简单易操作，测量结构可兼容绝大多数GaNHEMT工艺流程。
主权项：1.一种漏电流测量结构，其特征在于，所述漏电流测量结构包括外延结构及位于外延结构上的若干钝化层、位于外延结构上的金属接触层及位于外延结构和或钝化层上的若干金属层，所述外延结构中形成有二维电子气，所述金属接触层与二维电子气电性连接，所述金属层包括位于二维电子气上方区域的金属块及金属环，所述金属块位于金属环内部，且金属块和金属环分离设置，所述漏电流测量结构用于测量沿金属层下方界面方向的第一漏电流和或垂直于金属层下方界面方向的第二漏电流；所述漏电流测量结构包括m层金属层及n层钝化层，m≥1，n＝m；所述金属层在二维电子气平面上的投影沿第一方向排布，且不同金属层在二维电子气平面上的投影互不重叠；所述二维电子气沿第一方向上的长度及沿第二方向上的宽度分别为X1和Y1，金属层沿第一方向上的长度及沿第二方向上的宽度分别为X2和Y2，金属块沿第一方向上的长度及沿第二方向上的宽度分别为X3和Y3，其中，X1≥n*X2，Y3≥Y1≥50μm，X3≥50μm，金属环的宽度d为2μm～10μm。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 苏州英嘉通半导体有限公司 漏电流测量结构及测量方法
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