申请/专利权人：新特能源股份有限公司;新疆新特晶体硅高科技有限公司

申请日：2022-09-13

公开（公告）日：2024-04-30

公开（公告）号：CN115364530B

主分类号：B01D21/02

分类号：B01D21/02;B01D21/24

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.30#授权;2022.12.09#实质审查的生效;2022.11.22#公开

摘要：本发明公开一种多晶硅渣浆沉降装置，包括沉降罐和沉降机构。沉降罐开设有进料法兰口、出料法兰口和出清液法兰口。进料法兰口位于沉降罐的侧壁上，供渣浆进料。出料法兰口位于沉降罐的罐底上，供沉降分离的硅粉出料。出清液法兰口位于沉降罐的侧壁上，且其位置高于进料法兰口，供分离硅粉后的清液流出。沉降机构设置于沉降罐内部，并位于进料法兰口和出清液法兰口之间，沉降机构具有多条上下贯通的流道，流道倾斜设置，用于供渣浆流通并将渣浆的液流分隔为多个薄层，使每个渣浆薄层中的硅粉沿着倾斜的流道壁聚集沉降，并落到沉降罐底部，以分离出硅粉。因此，本多晶硅渣浆沉降装置能够使渣浆中的硅粉快速沉降，以提高清液与硅粉的分离效率。

主权项：1.一种多晶硅渣浆沉降装置，其特征在于，包括：沉降罐1和沉降机构8，所述沉降罐1开设有进料法兰口2、出料法兰口3和出清液法兰口4，所述进料法兰口2位于所述沉降罐1的侧壁上，用于供渣浆进料，所述出料法兰口3位于所述沉降罐1的罐底上，用于供沉降分离的硅粉出料，所述出清液法兰口4位于所述沉降罐1的侧壁上，且其位置高于所述进料法兰口2，用于供分离硅粉后的清液流出，所述沉降机构8设置于所述沉降罐1内部，并位于进料法兰口2和出清液法兰口4之间，所述沉降机构8具有多条上下贯通的流道，所述流道倾斜设置，用于供渣浆流通并将渣浆的液流分隔为多个薄层，使每个渣浆薄层中的硅粉沿着倾斜的流道壁聚集沉降，并落到沉降罐1底部，以分离出硅粉；所述流道设定为其中通过的渣浆流体的雷诺数小于1000；本装置还包括进料缓冲机构7，所述进料缓冲机构7安装于所述沉降罐1的内壁上，所述进料缓冲机构7包括底板701、侧挡板702和顶板703，所述底板701和所述顶板703水平设置并分别与所述沉降罐1的内壁固定连接，所述侧挡板702竖直设置，其上下两端分别与所述底板701和所述顶板703固定连接，所述侧挡板702正对所述进料法兰口2，用于阻挡并减缓从进料法兰口2流入的渣浆的流速,所述底板701、侧挡板702、顶板703以及所述沉降罐1的内壁围合，以形成缓冲通道，所述缓冲通道的两侧具有出口，用于供经过缓冲后的渣浆流入沉降罐1内；本装置还包括清液溢流机构9，所述清液溢流机构9安装于所述沉降罐1的内壁，并位于所述沉降机构8的上方，所述清液溢流机构9包括安装环901，所述安装环901沿水平方向延伸，所述安装环901的外侧固定于所述沉降罐1的内壁，所述安装环901的内侧固定有溢流堰902，所述溢流堰902呈环形并向上延伸，且所述溢流堰902与所述出清液法兰口4处于同一高度，所述溢流堰902与所述安装环901密封安装，以使溢流堰902、安装环901和沉降罐1的内壁围合成清液流道，用于供清液流动至出清液法兰口4，并从出清液法兰口4流出；所述溢流堰902的上端开设有若干缺口，若干所述缺口沿所述溢流堰902的周向排列布置，所述缺口用于供清液均匀流出至清液流道。

全文数据：

权利要求：

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