申请/专利权人：宁波鼎声微电子科技有限公司

申请日：2023-06-29

公开（公告）日：2024-04-30

公开（公告）号：CN116844802B

主分类号：H01C7/00

分类号：H01C7/00;H01C1/02;H01C17/00;H01C17/245

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.30#授权;2023.10.24#实质审查的生效;2023.10.03#公开

摘要：本发明涉及车规抗硫化薄膜高精度电阻器的制造方法以及电阻采用AL2O3陶瓷基板为载体，印刷正面电极与背面电极；通过磁控溅射工艺溅射电阻层、AL2O3保护层；进行镭射修正，切割线从贴近电阻层边缘进行起刀且起刀位置位于G2保护层范围内；将电阻层表面清洁，上方形成G2保护层并干燥与固化；印刷至G2保护层上并进行干燥与固化。本发明突破了技术壁垒形成集合，符合85℃85%RH的高温高湿应用条件、高功率、抗硫化功能的电阻器。通过对切割线的均匀合理分布实现高功率特性；通过对电阻结构设计实现超强的耐硫化特征；通过切割线、保护层调整实现了高功率以及高稳定性。

主权项：1.一种车规抗硫化薄膜高精度电阻器的制造方法，其特征在于包括以下步骤：a、采用AL2O3陶瓷基板为载体，通过丝网印刷工艺印刷正面电极与背面电极并进行干燥与固化；b、将玻璃粉浆料通过丝网印刷遮盖载体正面，露出电阻层区域；c、通过磁控溅射工艺溅射电阻层；d、通过磁控溅射AL2O3保护层；e、去除玻璃粉浆料；f、固化电阻层；g、进行第一次镭射修正，切割线从贴近电阻层边缘进行起刀；切割线之间刀间距在30UM至57UM之间，根据间距由小至大，刀数在57至20刀之间，且切割线等距设置；h、进行第二次镭射修正，在第一次镭射修整基础上进行阻值精修；i、清洁电阻层表面；j、通过丝网印刷将树脂浆料印刷在电阻层上方形成G2保护层，且G2保护层包裹起刀位；所述G2保护层覆盖有两层且第二层G2保护层覆盖第一层G2保护层，所述G2保护层覆盖且包裹AL2O3保护层，且G2保护层不接触载体边缘，并经过干燥与固化；k、将字符标识印刷至G2保护层上并进行干燥与固化；l、将电阻进行折条并进行端面磁控溅射金属导电层，使正面电极与背面电极导通；m、进行折粒、电镀、筛选、封装。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 宁波鼎声微电子科技有限公司 一种车规抗硫化薄膜高精度电阻器的制造方法及电阻器

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