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【发明授权】一种免干涉二极管吸笔结构_先之科半导体科技(东莞)有限公司_202211687401.X 

申请/专利权人:先之科半导体科技(东莞)有限公司

申请日:2022-12-27

公开(公告)日:2024-04-30

公开(公告)号:CN116093003B

主分类号:H01L21/683

分类号:H01L21/683

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2024.04.30#授权;2023.05.26#实质审查的生效;2023.05.09#公开

摘要:本发明提供一种免干涉二极管吸笔结构,包括吸笔本体,所述吸笔本体的底部形成有锥形吸嘴,所述锥形吸嘴的底部开设有防偏位吸槽;所述吸笔本体的内腔共轴心形成有与所述防偏位吸槽连通的真空气腔,所述吸笔本体的下部相对两侧面形成有侧槽,两侧所述侧槽均与所述防偏位吸槽连通;两侧所述侧槽内均设置有弹片;所述侧槽的深度大于所述弹片的厚度;所述弹片的上部通过螺丝与所述侧槽连接;所述弹片的下部延伸进所述防偏位吸槽内;两侧所述侧槽靠近上部的位置通过调节螺栓连接有椭圆压块;所述椭圆压块保持与所述弹片相抵接触;位于所述防偏位吸槽内的相对两侧弹片之间形成夹持空间。可配合产品自动调整夹持空间大小的基础上,简化结构,便于更换。

主权项:1.一种免干涉二极管吸笔结构,包括吸笔本体10,所述吸笔本体10的底部形成有锥形吸嘴27,所述锥形吸嘴27的底部开设有防偏位吸槽19;所述吸笔本体10的内腔共轴心形成有与所述防偏位吸槽19连通的真空气腔11,其特征在于:所述吸笔本体10的下部相对两侧面形成有侧槽13,两侧所述侧槽13均与所述防偏位吸槽19连通;两侧所述侧槽13内均设置有弹片16;所述侧槽13的深度大于所述弹片16的厚度;所述弹片16的上部通过螺丝12与所述侧槽13连接;所述弹片16的下部延伸进所述防偏位吸槽19内;两侧所述侧槽13靠近上部的位置通过调节螺栓15连接有椭圆压块14;所述椭圆压块14保持与所述弹片16相抵接触;位于所述防偏位吸槽19内的相对两侧弹片16之间形成夹持空间;所述弹片16包括一体形成的垂直安装段22、倾斜连接段23、水平夹持段24,所述垂直安装段22开设有与所述螺丝配合的螺丝孔21;所述椭圆压块14设置在与所述倾斜连接段23对应的位置;所述侧槽13包括竖向槽段26和倾斜槽段18,所述垂直安装段22对应设置在所述竖向槽段26;所述倾斜连接段23和水平夹持段24对应设置在所述倾斜槽段18;所述竖向槽段26和倾斜槽段18之间的过渡处形成有与所述倾斜连接段23和垂直安装段22过渡处相抵接触的折弯抵压部20;当需要调整夹持空间大小时,可通过旋转调节螺栓改变椭圆压块对弹片的压紧位置即可。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 先之科半导体科技(东莞)有限公司 一种免干涉二极管吸笔结构

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