申请/专利权人：国立大学法人东海国立大学机构

申请日：2020-11-24

公开（公告）日：2024-04-30

公开（公告）号：CN115087766B

主分类号：C30B29/38

分类号：C30B29/38;C23C16/34;C30B25/14;H01L21/205

优先权：["20200214 JP 2020-023651"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.30#授权;2022.12.16#实质审查的生效;2022.09.20#公开

摘要：本发明提供一种能够掺杂镁的氮化镓的气相生长装置。氮化镓的气相生长装置用于在镓原料中不使用有机金属的气相生长法。气相生长装置具有反应容器。气相生长装置具有晶片保持器，其配置在反应容器内。气相生长装置具有第一原料气体供给管，其向反应容器内供给包含镓的第一原料气体。气相生长装置具有第二原料气体供给管，其向反应容器内供给包含氮且与第一原料气体反应的第二原料气体。气相生长装置具有第三原料气体供给管，其向反应容器内供给包含镁的第三原料气体。第三原料气体供给管能够在供给路径上配置镁的氧化物。气相生长装置具有第一加热部，其能够在第一温度范围加热配置在第三原料气体供给管的镁的氧化物。

主权项：1.一种氮化镓的气相生长装置，其用于在镓原料中不使用有机金属的气相生长法，具有：反应容器；晶片保持器，其配置在所述反应容器内；第一原料气体供给管，其向所述反应容器内供给包含镓的第一原料气体；第二原料气体供给管，其向所述反应容器内供给包含氮且与所述第一原料气体反应的第二原料气体；第三原料气体供给管，其向所述反应容器内供给包含镁的第三原料气体，能够在供给路径上配置氧化镁；以及第一加热部，其能够在第一温度范围加热配置在所述第三原料气体供给管的所述氧化镁，所述氧化镁为单晶，向所述第三原料气体供给管的入口供给氯化氢气体或氯气。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 国立大学法人东海国立大学机构 氮化镓的气相生长装置及制造方法

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