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申请/专利权人：浙江大学
申请日：2021-10-12
公开（公告）日：2024-04-30
公开（公告）号：CN114005570B
主分类号：G21K1/00
分类号：G21K1/00
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.04.30#授权;2022.02.22#实质审查的生效;2022.02.01#公开
摘要：本发明公开了一种真空中电荷选择捕获释放的装置与方法。光阱和微粒位于真空室内，微粒稳定捕获于光阱中，栅网电极系统将等离子体系统产生的电荷输送至微粒上；方法步骤为：等离子体系统发射诱导等离子体激光垂直聚焦于等离子体靶材表面并产生等离子体，等离子体的电荷在栅网电极系统的作用下引出并在单向移动中与光阱中的微粒碰撞，被微粒选择捕获。本发明通过激光诱导产生等离子体，避免产生高压电场；同时，通过对栅网电极电势的合理分配，很好的控制在静电场中运动的电荷的性质及电量，从而控制微粒所捕获电荷的性质。
主权项：1.一种真空中电荷选择捕获释放的装置，其特征在于：包括真空室1、栅网电极系统、等离子体系统、光阱14和微粒15，光阱14和微粒15位于真空室1内，微粒15稳定捕获于光阱14中，栅网电极系统将等离子体系统产生的电荷16输送至微粒15上；栅网电极系统包括第一栅网电极4、第二栅网电极5和第三栅网电极6，第一栅网电极4、第二栅网电极5和第三栅网电极6依次相互平行并间隔竖直布置于真空室1内，第一栅网电极4、第二栅网电极5和第三栅网电极6中心均开设有通孔，光阱14位于第二栅网电极5和第三栅网电极6之间；等离子体系统包括等离子体靶材2、诱导等离子体光源7和光路系统8，等离子体靶材2和光路系统8位于真空室1内，等离子体靶材2位于第一栅网电极4和第二栅网电极5通孔之间，等离子体靶材2靠近第一栅网电极4通孔处，等离子体靶材2的靶面朝向第二栅网电极5通孔，光路系统8位于第三栅网电极6远离第二栅网电极5的一侧，诱导等离子体光源7位于真空室1外靠近光路系统8的一侧；诱导等离子体光源7发射诱导等离子体激光9并由光纤输入光路系统8中，诱导等离子体激光9经过光路系统8准直聚焦后从光路系统8中出射并依次穿过第三栅网电极6和第二栅网电极5中心的通孔，最终垂直聚焦于等离子体靶材2表面，使得等离子体靶材2靶面产生等离子体3，等离子体3中电荷16由第一栅网电极4、第二栅网电极5和第三栅网电极6引出并加速至微粒15处与微粒15碰撞，使微粒15带电或呈电中性。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 浙江大学 真空中电荷选择捕获释放的装置与方法
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