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申请/专利权人：深圳市灵明光子科技有限公司
申请日：2022-04-22
公开（公告）日：2024-04-30
公开（公告）号：CN114726374B
主分类号：H03M1/46
分类号：H03M1/46;G06F30/392
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.04.30#授权;2022.07.26#实质审查的生效;2022.07.08#公开
摘要：本申请实施例公开了一种电容阵列结构，包括n个分裂电容，所述第一分裂电容处于阵列的中间，所述第二分裂电容平分成2个所述单元电容分布在所述第一分裂电容的两侧，所述第n分裂电容平分成2n‑1个所述单元电容分布在所述第一分裂电容的两侧；所述每个分裂电容包括1个下极板和1个上极板；所述阵列的所有分裂电容都处于同一排，所有分裂电容的上极板连接在一起。
主权项：1.一种电容阵列结构，其特征在于，包括n个分裂电容，1倍于单元电容的第一分裂电容、2倍于所述单元电容的第二分裂电容、以此类推，2n-1倍于所述单元电容的第n分裂电容，其中，n为大于等于1的整数；所述第一分裂电容处于阵列的中间，所述第二分裂电容平分成2个所述单元电容分布在所述第一分裂电容的两侧，所述第n分裂电容平分成2n-1个所述单元电容分布在所述第一分裂电容的两侧；每个所述分裂电容包括1个下极板和1个上极板；所述第n分裂电容包括2n-1个所述单元电容，所述2n-1个所述单元电容的上极板连在一起，所述2n-1个所述单元电容的下极板连在一起；所述阵列的所有分裂电容都处于同一排，所有分裂电容的上极板连接在一起，所述第n分裂电容的下极板通过其对应的开关连接到基准电压或地。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 深圳市灵明光子科技有限公司 一种电容阵列结构
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