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申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日：2020-09-29
公开（公告）日：2024-04-30
公开（公告）号：CN112599164B
主分类号：G11C11/41
分类号：G11C11/41;G11C11/412;G11C11/417;G11C11/419
优先权：["20191001 US 16/589,806"]
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.04.30#授权;2021.04.23#实质审查的生效;2021.04.02#公开
摘要：静态随机存取存储器SRAM单元包括四接触式多晶硅节距4Cpp鳍式场效应晶体管FinFET架构，架构包括第一位单元和第二位单元。SRAM单元包括第一位线和第一互补位线，其中第一位线和第一互补位线被SRAM单元的第一位单元和第二位单元共享。SRAM单元包括连接至第一位单元的第一字线和连接至第二位单元的第二字线。本发明的实施例还涉及存储器阵列、静态随机存取存储器单元及其方法。
主权项：1.一种静态随机存取存储器单元，包括：四接触式多晶硅节距鳍式场效应晶体管架构，包括第一位单元和第二位单元；第一位线和第一互补位线，其中，所述静态随机存取存储器单元的所述第一位单元和所述第二位单元共享所述第一位线和所述第一互补位线；第一字线，连接至所述第一位单元；以及第二字线，连接至所述第二位单元。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 存储器阵列、静态随机存取存储器单元及其方法
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