申请/专利权人:江苏亨通光导新材料有限公司;江苏亨通光电股份有限公司;江苏亨通光纤科技有限公司
申请日:2022-08-25
公开(公告)日:2024-04-30
公开(公告)号:CN115321808B
主分类号:C03B37/012
分类号:C03B37/012;C03B37/027;G02B6/036
优先权:
专利状态码:有效-授权
法律状态:2024.04.30#授权;2022.11.29#实质审查的生效;2022.11.11#公开
摘要:本发明公开了一种氢不敏感超低损耗光纤及制作方法,属于光纤通信技术领域,该光纤包括由内至外依次设置的芯层和包层,芯层包括由内至外依次设置的内芯层和外芯层,包层包括由内至外依次设置的内包层、中包层和外包层。本发明提供的氢不敏感超低损耗光纤及制作方法,在1550nm窗口处具有极低的损耗系数,在1550nm波长处的衰减系数小于或等于0.16dBkm,在1550nm波长处的模场直径为11~14μm,同时兼顾大有效面积,在1550nm波长处的有效面积为70~160μm^2,且具有良好的氢损性能及优秀的弯曲不敏感特性,非常适用于长距离、大容量、高速率光通信传输系统。
主权项:1.一种氢不敏感超低损耗光纤,包括由内至外依次设置的芯层和包层,所述芯层包括由内至外依次设置的内芯层和外芯层,所述包层包括由内至外依次设置的内包层、中包层和外包层;其特征在于,所述内芯层的半径r1为1~3μm,内芯层的相对折射率差Δ1为-0.1%~0.1%,所述外芯层的半径r2为2~5μm,外芯层的相对折射率差Δ2为0.15%~0.25%;所述内芯层为掺碱金属纯硅芯层,内芯层中碱金属含量为20~1000ppm,氯含量为0~100ppm,所述外芯层为碱金属、氯共掺石英层,外芯层中碱金属含量为5~50ppm,氯含量为2000~20000ppm;所述内包层的半径r3为10~20μm,内包层的相对折射率差Δ3为-0.3%~-0.4%,内包层的相对折射率差△3与内芯层的相对折射率差△1的差值△1-△3为0.3%~0.4%;所述中包层的半径r4为40~50μm,中包层的相对折射率差Δ4为-0.2%~-0.35%,中包层相对折射率差△4与内芯层的相对折射率差△1的差值△1-△4为0.2%~0.35%;所述外包层的半径r5为1~3μm,外包层的相对折射率差Δ5为-0.1%~0.1%,外包层相对折射率差△5与内芯层相对折射率差△1的差值△1-△5为0%~0.1%;所述外芯层的碱金属掺杂量低,整体缺陷密度低,光纤的氢损性能优越,由于氯掺杂,导致外芯层折射率高,带高整体△值,光纤拥有优越的弯曲性能。
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权利要求:
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