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申请/专利权人：住友化学株式会社
申请日：2019-03-22
公开（公告）日：2024-04-30
公开（公告）号：CN111819700B
主分类号：H10K30/20
分类号：H10K30/20;H10K30/60;H10K30/85;H10K85/20;H10K85/60;H10K85/10
优先权：["20180323 JP 2018-056656"]
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.04.30#授权;2020.11.10#实质审查的生效;2020.10.23#公开
摘要：本发明提高光电转换元件10的比探测率。一种光电转换元件，其包含：一对电极12、16；设置于一对电极间的活性层14；以及设置于活性层与所述一对电极中的至少一个电极之间的中间层13、15，中间层的与活性层接合的面的表面粗糙度的绝对值为大于0.22nm且小于1.90nm的值，活性层的厚度为350nm以上且800nm以下。
主权项：1.一种光电转换元件，其包含：一对电极；设置于该一对电极间的活性层；以及设置于该活性层与所述一对电极中的至少一个电极之间的中间层，所述中间层的与所述活性层接合的面的表面粗糙度的绝对值为大于0.22nm且小于1.90nm的值，所述活性层的厚度为350nm以上且800nm以下，所述活性层包含n型半导体材料及p型半导体材料，所述p型半导体材料为包含下述式I所表示的构成单元和或下述式II所表示的构成单元的高分子化合物，[化1] 式I中，Ar1及Ar2表示3价芳香族杂环基，Z表示下述式Z-1～式Z-7表示的基团，[化2]-Ar3-II式II中，Ar3表示2价芳香族杂环基，[化3] 式Z-1～式Z-7中，R表示氢原子、卤原子、烷基、芳基、烷氧基、芳氧基、烷硫基、芳硫基、1价杂环基、取代氨基、酰基、亚胺残基、酰胺基、酰亚胺基、取代氧基羰基、烯基、炔基、氰基或硝基，式Z-1～式Z-7的各式中，R存在2个的情况下，2个R相互相同或不同。
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