龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
申请/专利权人：上海萍生微电子科技有限公司
申请日：2023-08-18
公开（公告）日：2024-04-30
公开（公告）号：CN220872923U
主分类号：G05F1/567
分类号：G05F1/567
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.04.30#授权
摘要：本实用新型公开了一种高电源抑制比和低温度系数的偏置电路，涉及偏置电路技术领域。偏置电路包括晶体管M1，晶体管M1的源极与二极管D1的负极电连接，晶体管M1的漏极与电阻R1的一端电连接，电阻R1的另一端与电阻R2的一端电连接，电阻R2与二极管D1的正极电连接，晶体管M1的栅极与晶体管M1的漏极电连接。本实用新型在恒定温度下，电源电压VDD发生变化时，由于钳位电压V1变化较小，因此IREF变化较小，获得较高的电源抑制比；在恒定的电源电压VDD，当温度下降或上升时，M1的阈值电压VTH降低或升高，但是R1的电阻增大或减小，这导致IREF相比传统的偏置电路变化更小，获得较低的温度系数。
主权项：1.一种高电源抑制比和低温度系数的偏置电路，其特征在于：所述偏置电路包括晶体管M1，所述晶体管M1的源极与二极管D1的负极电连接，所述晶体管M1的漏极与电阻R1的一端电连接，所述电阻R1的另一端与电阻R2的一端电连接，所述电阻R2与二极管D1的正极电连接，所述晶体管M1的栅极与晶体管M1的漏极电连接。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海萍生微电子科技有限公司 一种高电源抑制比和低温度系数的偏置电路
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号