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申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日：2023-06-19
公开（公告）日：2024-04-30
公开（公告）号：CN220873578U
主分类号：H01L23/64
分类号：H01L23/64
优先权：["20220711 US 17/861,755"]
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.04.30#授权
摘要：本申请的各种实施例是有关于一种集成芯片。所述集成芯片包括上覆于基底上的沟道电容器。沟道电容器包括多个电容器电极结构、多个翘曲减小结构及多个电容器介电结构。所述多个电容器电极结构、所述多个翘曲减小结构与所述多个电容器介电结构交替地堆栈且界定在垂直方向上延伸至基底中的沟道段。所述多个电容器电极结构包含金属组分及氮组分。所述多个翘曲减小结构包含金属组分、氮组分及氧组分。
主权项：1.一种集成芯片，包括：半导体基底；以及沟道电容器，上覆于所述半导体基底上，其中所述沟道电容器包括多个电容器电极结构、多个翘曲减小结构及多个电容器介电结构，其中所述多个电容器电极结构、所述多个翘曲减小结构与所述多个电容器介电结构交替地堆栈且界定在垂直方向上延伸至所述半导体基底中的沟道段，其中所述多个电容器电极结构包含氮化钛，且其中所述多个翘曲减小结构包含氮氧化钛。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 集成芯片
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