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申请/专利权人：弘元新材料(包头)有限公司
申请日：2023-09-15
公开（公告）日：2024-04-30
公开（公告）号：CN220869853U
主分类号：F16C3/02
分类号：F16C3/02;C30B15/00;F16H57/04
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.04.30#授权
摘要：本实用新型公开了一种可以降低单晶硅中的氧含量的下轴，包括下轴结构，所述下轴结构的中部外壁定位有上波纹管、左水冷架、架体、上水冷罩、密封件、右水冷架、上水冷结构、水冷内管、上水冷器、下波纹管、下水冷罩、定位件、下水冷结构和防护套管，所述左水冷架和右水冷架均位于上水冷结构的外侧。本实用新型所述的一种可以降低单晶硅中的氧含量的下轴，下轴机构改为中空结构，中心位置增加水冷管，且为双冷却机构，中心水冷管采用独立供水，同时采用波纹管于下轴进行密封，水冷管材料采用耐高温高热导率材料，中轴同为中空结构，材料采用碳碳复合材料制备，中轴螺栓结构通过中空外螺纹连接，材料采用T9高碳钢制作。
主权项：1.一种可以降低单晶硅中的氧含量的下轴，包括下轴结构1，其特征在于：所述下轴结构1的中部外壁定位有上波纹管15、左水冷架7、架体14、上水冷罩3、密封件5、右水冷架12、上水冷结构4、水冷内管11、上水冷器8、下波纹管18、下水冷罩10、定位件9、下水冷结构6和防护套管13，所述左水冷架7、架体14、上水冷罩3、密封件5和右水冷架12均位于上水冷结构4的外侧。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 弘元新材料(包头)有限公司 一种可以降低单晶硅中的氧含量的下轴
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