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申请/专利权人：华虹半导体(无锡)有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日：2024-01-04
公开（公告）日：2024-05-03
公开（公告）号：CN117961755A
主分类号：B24B37/00
分类号：B24B37/00;B24B1/00
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.05.21#实质审查的生效;2024.05.03#公开
摘要：本申请公开了一种化学机械研磨方法，包括：在第一阶段，对晶圆进行主研磨；在第二阶段，对晶圆进行过研磨；在第三阶段，通过加入去离子水和碱性药剂对晶圆进行研磨，以提高研磨垫上副产物的Zeta电位的绝对值；对晶圆进行清洗。本申请通过在对晶圆进行化学机械研磨的过程中，在进行主研磨和过研磨后，通过加入去离子水和碱性药剂对晶圆进行研磨，由于碱性药剂能够提高研磨垫上副产物的Zeta电位的绝对值，从而降低了研磨垫上副产物的聚集，进而降低了晶圆被刮伤的几率，在一定程度上提高了产品的良率和生产效率。
主权项：1.一种化学机械研磨方法，其特征在于，包括：在第一阶段，对晶圆进行主研磨；在第二阶段，对所述晶圆进行过研磨；在第三阶段，通过加入去离子水和碱性药剂对所述晶圆进行研磨，以提高研磨垫上副产物的Zeta电位的绝对值；对所述晶圆进行清洗。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华虹半导体(无锡)有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司 化学机械研磨方法
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