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申请/专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日：2024-01-31
公开（公告）日：2024-05-03
公开（公告）号：CN117976792A
主分类号：H01L33/24
分类号：H01L33/24;H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.05.21#实质审查的生效;2024.05.03#公开
摘要：本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管，涉及半导体技术领域。其中，所述发光二极管外延片包括衬底及依次层叠于所述衬底上的缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层、电子阻挡层和P型GaN层，所述多量子阱层具有V型坑结构，所述V型坑结构中沉积有高阻层，所述高阻层包括依次层叠的三维AlN层、三维ScAlN层、InGaNMg3N2二维超晶格层。本发明的复合缓冲层能够避免V型坑内缺陷形成非辐射复合中心，减少发光二极管漏电，从而提升发光二极管的发光效率。
主权项：1.一种发光二极管外延片，其特征在于，包括衬底及依次层叠于所述衬底上的缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层、电子阻挡层和P型GaN层，所述多量子阱层具有V型坑结构，所述V型坑结构中沉积有高阻层，所述高阻层包括依次层叠的三维AlN层、三维ScAlN层、InGaNMg3N2二维超晶格层，所述InGaNMg3N2二维超晶格层包括周期性交替层叠的二维InGaN层和二维Mg3N2层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 江西兆驰半导体有限公司 发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管
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