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申请/专利权人：深圳大学
申请日：2024-01-31
公开（公告）日：2024-05-03
公开（公告）号：CN117979817A
主分类号：H10N70/00
分类号：H10N70/00;H10N70/20;H10B63/10
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.05.21#实质审查的生效;2024.05.03#公开
摘要：本发明公开一种相变材料、相变异质结薄膜及相变存储单元，所述相变材料为沿着[111]晶向生长的立方相单晶，所述相变材料的化学式为MxSc2Te31‑x，其中，M为Ge或Ga，0.1≤x≤0.5。所述相变材料中M原子位于六配位八面体结构位置，此时为低阻态，通过施加电流，在原有六个M‑Te键中，三个弱键被打断，三个强键得到保留，M原子越过一定的势垒，沿着[111]晶向移动到稳定的四配位四面体结构位置，此时为高阻态，由此实现高、低阻态之间的转变。这种固‑固相变的过程，只需M原子在六配位八面体结构位置和四配位四面体结构位置之间的跳变，减少了相变过程所需消耗的能量，可降低相变存储单元的功耗。
主权项：1.一种相变材料，其特征在于，所述相变材料为沿着[111]晶向生长的立方相单晶，所述相变材料的化学式为MxSc2Te31-x，其中，M为Ge或Ga，0.1≤x≤0.5。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 深圳大学 一种相变材料、相变异质结薄膜及相变存储单元
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