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申请/专利权人：中国科学院高能物理研究所;济南中科核技术研究院
申请日：2024-01-19
公开（公告）日：2024-05-03
公开（公告）号：CN117979525A
主分类号：H05G1/52
分类号：H05G1/52;H05G1/02
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.05.21#实质审查的生效;2024.05.03#公开
摘要：本发明公开了一种基于环形靶的动态扫描的电子束高亮度微焦点射线源，其特征在于，包括电子枪、聚焦线圈、偏转系统和环形反射靶；所述电子枪，用于产生电子束流并依次经所述聚焦线圈、偏转系统入射到所述环形反射靶；所述聚焦线圈，用于聚焦入射的电子束，减小电子束的束斑尺寸；所述偏转系统，用于控制电子束偏转方向及角度，使电子束沿多角度轰击所述环形反射靶；所述环形反射靶，用于被电子束轰击后产生对待扫描对象成像的X射线；其中所述环形反射靶由外向内依次为靶膜、导热基底和水冷通道层，所述靶膜用于与入射的电子束反应产生X射线，所述导热基底用于将所述靶膜上沉积的热量传递给所述水冷通道层。利用本发明可实现高速在线检测。
主权项：1.一种基于环形靶的动态扫描的电子束高亮度微焦点射线源，其特征在于，包括电子枪、聚焦线圈、偏转系统和环形反射靶；所述电子枪，用于产生电子束流并依次经所述聚焦线圈、偏转系统入射到所述环形反射靶；所述聚焦线圈，用于聚焦入射的电子束，减小电子束的束斑尺寸；所述偏转系统，用于控制电子束偏转方向及角度，使电子束沿多角度轰击所述环形反射靶；所述环形反射靶，用于被电子束轰击后产生对待扫描对象成像的X射线；其中所述环形反射靶由外向内依次为靶膜、导热基底和水冷通道层，所述靶膜用于与入射的电子束反应产生X射线，所述导热基底用于将所述靶膜上沉积的热量传递给所述水冷通道层，所述导热基底的热膨胀系数介于所述靶膜的热膨胀系数与水冷通道层的热膨胀系数之间。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院高能物理研究所;济南中科核技术研究院 一种基于环形靶的动态扫描的电子束高亮度微焦点射线源
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