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申请/专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日：2024-03-13
公开（公告）日：2024-05-03
公开（公告）号：CN117970753A
主分类号：G03F7/20
分类号：G03F7/20
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.05.21#实质审查的生效;2024.05.03#公开
摘要：本发明提供一种基于半导体激光器的全息光刻装置及全息光刻方法，该装置包括：激光发射组件，包括：激光二极管，用于产生激光光束；准直器，用于将激光光束转换为平行光束；光栅模块，用于基于平行光束产生多个衍射光束，其中一个衍射光束会再次入射至激光二极管中，向激光二极管提供光反馈，以形成光栅外腔结构，其余衍射光束用于输出相干激光；光反馈是基于对衍射光束进行波长选择后得到的特定光信号实现的；驱动温控模块，与激光发射组件相连接，用于对激光发射组件进行电流注入和温度控制；空间滤波模块，用于对激光发射组件输出的相干激光进行空间滤波，得到高斯形单横模光束；自干涉装置，用于基于高斯形单横模光束对样片进行全息光刻。
主权项：1.一种基于半导体激光器的全息光刻装置，其特征在于，包括：激光发射组件，包括：激光二极管1，用于产生激光光束；第一准直器3，用于将所述激光光束转换为平行光束；光栅模块4，用于基于所述平行光束产生多个衍射光束，其中一个衍射光束会再次入射至激光二极管中，向所述激光二极管提供光反馈，以形成光栅外腔结构，其余衍射光束用于输出相干激光；所述光反馈是基于对衍射光束进行波长选择后得到的特定光信号实现的；驱动温控模块，与所述激光发射组件相连接，用于对所述激光发射组件进行电流注入和温度控制；空间滤波模块8，用于对所述激光发射组件输出的相干激光进行空间滤波，得到高斯形单横模光束；自干涉装置14，用于基于所述高斯形单横模光束对样片进行全息光刻。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院半导体研究所 基于半导体激光器的全息光刻装置及全息光刻方法
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