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申请/专利权人：上海传芯半导体有限公司
申请日：2023-12-28
公开（公告）日：2024-05-03
公开（公告）号：CN117976531A
主分类号：H01L21/304
分类号：H01L21/304
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.05.21#实质审查的生效;2024.05.03#公开
摘要：本发明提供一种抛光方法及半导体器件的制备方法。其中，所述抛光方法是利用若干束所述流体沿所述衬底表面喷射，以向所述衬底表面形成近乎水平方向的作用力。且所述流体分子形成的作用力能够有效冲刷所述衬底表面的污染物，并切割所述衬底表面的凸出结构，实现对所述衬底表面的高速精细抛光。同时，在抛光过程中，所述衬底按预设轨迹转动，以使所述流体能够在所述衬底表面流动，并带动经切割而形成的分子团流动，且流经所述衬底表面的凹坑，实现对所述凹坑的填补修复。因此，本发明提供的所述抛光方法可以同步实现高速精细抛光和对衬底表面的修补，抛光效率高且抛光质量佳。
主权项：1.一种抛光方法，其特征在于，包括：提供一衬底；沿所述衬底表面喷射若干束流体，且所述衬底以预设轨迹转动，以使所述流体在所述衬底表面流动，并抛光所述衬底表面。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海传芯半导体有限公司 抛光方法及半导体器件的制备方法
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