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申请/专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日：2020-08-11
公开（公告）日：2024-05-03
公开（公告）号：CN117979696A
主分类号：H10B41/27
分类号：H10B41/27;H10B41/35;H10B43/27;H10B43/35
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.05.21#实质审查的生效;2024.05.03#公开
摘要：一种存储器器件，包括：衬底；以及堆叠结构，堆叠结构包括交替地布置的第一电介质层和电极层。在第一横向方向上，存储器器件包括阵列区域和布置在阵列区域之间的阶梯区域。在第二横向方向上，堆叠结构包括第一块和第二块，第一块和第二块各自包括壁结构区域并且沿着第一横向方向延伸。第一块和第二块的壁结构区域彼此相邻并且一起形成阶梯区域中的壁结构。存储器器件还包括：第一分离结构，第一分离结构穿过堆叠结构形成，并且沿着第一横向方向在阵列区域中位于第一块与第二块之间；以及第二电介质层，第二电介质层在阶梯区域中位于第一块与第二块之间，并且与第一电介质层交替。
主权项：1.一种存储器器件，包括：堆叠结构，所述堆叠结构包括交替地布置的第一电介质层和电极层，其中，在垂直于堆叠方向的第一横向方向上，所述堆叠结构包括阵列区域和布置在所述阵列区域之间的阶梯区域；壁结构，位于所述阶梯区域中，所述壁结构包括交替堆叠的所述第一电介质层和第二电介质层；以及第一分离结构，位于所述阵列区域并贯穿所述堆叠结构，所述第一分离结构与所述壁结构沿着所述第一横向方向排布。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 长江存储科技有限责任公司 存储器器件及其制造方法
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