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申请/专利权人：中子科学研究院(重庆)有限公司
申请日：2023-12-05
公开（公告）日：2024-05-03
公开（公告）号：CN117976282A
主分类号：G21G4/02
分类号：G21G4/02;H05H3/06;H05H7/00
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.05.21#实质审查的生效;2024.05.03#公开
摘要：本发明涉及中子源技术领域并公开一种用于中子源的气态靶和中子源设备，所述用于中子源的气态靶包括本体和偏转磁场生成组件，所述本体具有容纳反应气体的反应腔，所述反应腔沿第一方向延伸设置，所述反应腔朝第二方向弯曲设置，所述反应腔具有在所述第二方向相对设置的内弯曲侧和外弯曲侧；所述偏转磁场生成组件设在所述本体的外侧，使带电离子沿所述反应腔的长度方向运动；其中，所述第一方向正交于所述第二方向。所述用于中子源的气态靶能够在偏转磁场生成组件的作用下，带电离子沿反应腔的长度方向在反应腔内运动，并与反应腔内的反应气体反应产生中子，该中子可以在内弯曲侧形成一个高通量密度的中子辐照区，即，可以在中子辐照区内进行中子辐照。
主权项：1.一种用于中子源的气态靶，其特征在于，包括：本体，所述本体具有容纳反应气体的反应腔，所述反应腔沿第一方向延伸设置，所述反应腔朝第二方向弯曲设置，所述反应腔具有在所述第二方向相对设置的内弯曲侧和外弯曲侧；偏转磁场生成组件，所述偏转磁场生成组件设在所述本体的外侧，使带电离子沿所述反应腔的长度方向运动；其中，所述第一方向正交于所述第二方向。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中子科学研究院(重庆)有限公司 用于中子源的气态靶和中子源设备
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