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【发明公布】铜的光化学沉积方法以及在器件内壁共形沉积铜图案的方法_北京工业大学_202311775713.0 

申请/专利权人:北京工业大学

申请日:2023-12-21

公开(公告)日:2024-05-03

公开(公告)号:CN117966139A

主分类号:C23C18/40

分类号:C23C18/40;C23C18/18

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2024.05.21#实质审查的生效;2024.05.03#公开

摘要:本发明涉及功能材料与微纳器件领域,公开了一种铜的光化学沉积方法以及在器件内壁共形沉积铜图案的方法。所述的方法包括:I‑1分别将铜盐、光还原剂、中性多齿配体与第一去离子水接触,配制铜盐母液、光还原剂母液和中性多齿配体母液;I‑2将所述铜盐母液、所述光还原剂母液、所述中性多齿配体母液和第二去离子水混合,配制前体溶液;I‑3将所述前体溶液滴加到基底表面上,采用紫外光光照进行光化学反应,在所述基底表面上沉积铜膜。本发明利用光化学反应而非常规催化反应进行液相金属沉积,本发明的方法简单、可高效完成图案化沉积与共形沉积、适用于复杂形状基底和或器件内壁。

主权项:1.一种在基底表面光化学沉积铜的方法,其特征在于,所述的方法包括:I-1分别将铜盐、光还原剂、中性多齿配体与第一去离子水接触,配制铜盐母液、光还原剂母液和中性多齿配体母液;I-2将所述铜盐母液、所述光还原剂母液、所述中性多齿配体母液和第二去离子水混合,配制前体溶液;I-3将所述前体溶液滴加到基底表面上,采用紫外光光照进行光化学反应,在所述基底表面上沉积铜膜。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 北京工业大学 铜的光化学沉积方法以及在器件内壁共形沉积铜图案的方法

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