申请/专利权人：北京大学

申请日：2024-01-22

公开（公告）日：2024-05-03

公开（公告）号：CN117979706A

主分类号：H10B63/00

分类号：H10B63/00;H10B63/10;H10B51/50;H10B51/30;H10B51/40;H10B61/00

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.21#实质审查的生效;2024.05.03#公开

摘要：本申请提供一种半导体结构的制备方法及半导体结构，该半导体结构的制备方法包括：形成隔离结构，隔离结构包括第一隔离层；在隔离结构的第一侧形成逻辑电路，逻辑电路包括具有第一有源区的第一晶体管；在隔离结构的第二侧形成存储单元，存储单元包括具有第二有源区的第二晶体管；其中，第一隔离层位于第二有源区和第一有源区的连接处；第二侧和第一侧为隔离结构的相对两侧。

主权项：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：形成隔离结构，所述隔离结构包括第一隔离层；在所述隔离结构的第一侧形成逻辑电路，所述逻辑电路包括具有第一有源区的第一晶体管；在所述隔离结构的第二侧形成存储单元，所述存储单元包括具有第二有源区的第二晶体管；其中，所述第一隔离层位于所述第二有源区和所述第一有源区的连接处；所述第二侧和所述第一侧为所述隔离结构的相对两侧。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 北京大学 半导体结构的制备方法及半导体结构

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