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申请/专利权人：武汉光迅科技股份有限公司
申请日：2024-02-21
公开（公告）日：2024-05-03
公开（公告）号：CN117970571A
主分类号：G02B6/27
分类号：G02B6/27;G02B6/32;G02B6/42
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.05.21#实质审查的生效;2024.05.03#公开
摘要：本发明涉及光通信技术领域，尤其涉及一种窄波长间隔的SOA‑PIN及其制作方法，制作方法包括：以SOA芯片为界，将光路分为前光路和后光路；在SOA‑PIN耦合时先建立所述前光路，后建立所述后光路；通过所述SOA芯片的反偏特性来建立所述前光路；所述前光路包括依次设置的第一准直透镜、隔离器、第二准直透镜以及光口；通过所述SOA芯片的正偏特性来建立所述后光路；所述后光路包括依次设置的第三准直透镜、滤片、第四准直透镜以及PIN芯片。本发明可以兼顾到成品率和信号波长越来越密集的需求。
主权项：1.一种窄波长间隔的SOA-PIN的制作方法，其特征在于，包括：以SOA芯片106为界，将光路分为前光路1和后光路2；在SOA-PIN耦合时先建立所述前光路1，后建立所述后光路2；通过所述SOA芯片106的反偏特性来建立所述前光路1；所述前光路1包括依次设置的第一准直透镜105、隔离器104、第二准直透镜103以及光口101；通过所述SOA芯片106的正偏特性来建立所述后光路2；所述后光路2包括依次设置的第三准直透镜107、滤片108、第四准直透镜109以及PIN芯片110。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 武汉光迅科技股份有限公司 一种窄波长间隔的SOA-PIN及其制作方法
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