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申请/专利权人：应用材料公司
申请日：2022-08-05
公开（公告）日：2024-05-03
公开（公告）号：CN117980533A
主分类号：C23C16/44
分类号：C23C16/44;C23C16/04;C23C16/509;H01L21/02;H01L21/768
优先权：["20210811 US 17/399,702"]
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.05.21#实质审查的生效;2024.05.03#公开
摘要：半导体处理的示例性方法可包括将含硅前驱物提供到半导体处理腔室的处理区域。方法可包括在限定半导体处理腔室的处理区域的表面上沉积含硅层。方法可包括在半导体处理腔室的处理区域内形成含氢前驱物的等离子体。方法可包括在设置在半导体处理腔室的处理区域内的基板上沉积含硅材料。
主权项：1.一种半导体处理方法，包括以下步骤：将含硅前驱物提供到半导体处理腔室的处理区域；在限定所述半导体处理腔室的所述处理区域的表面上沉积含硅层；在所述半导体处理腔室的所述处理区域内形成含氢前驱物的等离子体；以及在设置在所述半导体处理腔室的所述处理区域内的基板上沉积含硅材料。
全文数据：
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