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申请/专利权人：上海韦尔半导体股份有限公司
申请日：2022-10-25
公开（公告）日：2024-05-03
公开（公告）号：CN117976536A
主分类号：H01L21/329
分类号：H01L21/329;H01L29/872
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.05.21#实质审查的生效;2024.05.03#公开
摘要：本申请实施例提供了一种新型沟槽肖特基二极管制备方法及沟槽式肖特基二极管，采用第一氧化硅层和利用减压化学气相沉积的特性的氮化硅层作为硬掩膜层，同时利用减压化学气相沉积的特性在硬掩膜层上沉积一层氧化层并回刻后，将沟槽硬掩膜层的窗口缩小，再进行沟槽刻蚀，得到元胞区线宽缩小的沟槽，和保护环区大线宽的沟槽；再经过牺牲氧化，氮化硅湿法刻蚀，牺牲氧化层去除；栅极氧化，多晶硅淀积；多晶硅回刻后除了在元胞区得到正常的沟槽结构外在保护环区的大线宽沟槽内得到一个自带多晶硅侧墙的结构，由于大线宽沟槽深度和多晶硅各项异性的刻蚀特性，大沟槽内的多晶硅侧墙比较宽为后续的接触孔光刻提供了比较大的对准余量，解决了光刻机对准精度不足的问题。
主权项：1.一种新型沟槽肖特基二极管制备方法，其特征在于，包括：对晶圆上表面从下到上依次设置的第一氧化层和氮化硅层进行光刻，以在晶圆上表面形成多个间隔设置第一沟槽，随后去除光刻胶；在所述晶圆上表面沉积第二氧化层，所述第二氧化层设置在第一沟槽中和氮化硅层上表面；对所述第二氧化层进行刻蚀直到去除氮化硅层上表面第二氧化层并保留第一沟槽侧壁的第二氧化层；对所述晶圆进行光刻以便在所述晶圆中与所述第一沟槽对应位置元胞区形成第二沟槽和保护环区形成第三沟槽，所述第三沟槽宽度大于第二沟槽宽度；在所述第二沟槽和第三沟槽侧壁上形成第三氧化层；刻蚀去除氮化硅层，随后刻蚀去除第一氧化层和第三氧化层；在所述第二沟槽和第三沟槽中生长第四氧化层；在所述第二沟槽和第三沟槽中沉积多晶硅，对所述多晶硅进行刻蚀后，所述第二沟槽中填充满多晶硅，所述第三沟槽侧壁形成多晶硅侧墙；在所述晶圆上表面沉积介质层；对所述介质层进行光刻以便去除元胞区全部介质层和保留保护环区介质层，随后去除光刻胶；对元胞区的晶圆上表面沉积第一金属层以形成肖特基势垒；在整个所述晶圆上表面沉积第二金属层，并在所述第二金属层与所述第二沟槽和第三沟槽对应的位置刻蚀接触孔。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海韦尔半导体股份有限公司 一种新型沟槽肖特基二极管制备方法及沟槽肖特基二极管
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