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申请/专利权人：宁夏申和新材料科技有限公司
申请日：2023-11-20
公开（公告）日：2024-05-03
公开（公告）号：CN117976517A
主分类号：H01L21/02
分类号：H01L21/02
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.05.21#实质审查的生效;2024.05.03#公开
摘要：一种去除单晶硅产品上手指印的工艺方法，该方法包括以下步骤：步骤1：对待进行手指印去除的单晶硅产品进行碱洗处理；步骤2：将碱洗后的单晶硅产品放入酒精中进行加热处理，以利用酒精溶解有机物，并通过酒精挥发的方式将有机物带走；步骤3：将加热处理完成后的单晶硅产品在氮气氛围下烘干，并循环执行步骤2‑3若干次，直至达到对单晶硅产品上的手指印的去除要求。本方案能够提高手指印的去除率，而且成本较低。
主权项：1.一种去除单晶硅产品上手指印的工艺方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：步骤1：对待进行手指印去除的单晶硅产品进行碱洗处理；步骤2：将碱洗后的单晶硅产品放入酒精中进行加热处理，以利用酒精溶解有机物，并通过酒精挥发的方式将有机物带走；步骤3：将加热处理完成后的单晶硅产品在氮气氛围下烘干，并循环执行步骤2-3若干次，直至达到对单晶硅产品上的手指印的去除要求。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 宁夏申和新材料科技有限公司 去除单晶硅产品上手指印的工艺方法
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