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申请/专利权人：郑州轻工业大学
申请日：2023-12-14
公开（公告）日：2024-05-03
公开（公告）号：CN117966276A
主分类号：C30B29/48
分类号：C30B29/48;C30B29/64;C30B25/00;C30B33/02;C23C14/24;H01L31/032;B82Y15/00;B82Y30/00;B82Y40/00
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.05.21#实质审查的生效;2024.05.03#公开
摘要：本发明公开了一种二维单晶GaSxSe1‑x纳米片的制备方法及在制备近紫外光电探测器中的应用，本发明利用VASP模拟软件及合金工程调控二维单晶GaSxSe1‑x的带隙值和光响应波段，确定紫外波段探测需要的最佳合金组分，采用化学气相沉积法（CVD）、干转移法和光刻蒸镀技术制备二维GaSxSe1‑x紫外光电探测器，构建具有优异的不同紫外波段光吸收的探测器器件结构。该器件在360nm近紫外光照射下表现出光响应度、检测率高和快速响应速度，具有结构简单，可靠性高，易制造，可规模化制备等特点，拓展了二维材料在紫外探测光电集成领域的应用。
主权项：1.一种二维单晶GaSxSe1-x纳米片的制备方法，其特征在于包括以下步骤：（1）以GaS和GaSe纳米粉为原料，采用化学气相沉积CVD法在石英舟衬底上生长高质量GaSxSe1-x单晶；（2）将步骤（1）所得GaSxSe1-x单晶采用干法转移的方法，使用聚二甲基硅氧烷（PDMS）机械剥离针对性转移到二氧化硅（SiO2）衬底表面上获得二维单晶GaSxSe1-x纳米片结构；（3）将步骤（2）所得二维单晶GaSxSe1-x纳米片结构热退火硫化处理得二维单晶GaSxSe1-x纳米片。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 郑州轻工业大学 一种二维单晶GaSxSe1-x纳米片的制备方法及应用
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