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申请/专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日：2024-01-19
公开（公告）日：2024-05-03
公开（公告）号：CN117976656A
主分类号：H01L23/544
分类号：H01L23/544;H01L21/66
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.05.21#实质审查的生效;2024.05.03#公开
摘要：本发明提供了一种金属层断裂的测试结构，包括：顶层金属层包括多个间隔的顶层金属线，之间通过介质层隔开；次顶层金属层位于顶层金属层的下方，包括多个间隔的次顶层金属线，之间通过介质层隔开，多个次顶层金属线依次通过连接线连接在一起；第一金属焊盘和第二金属焊盘分别连接在第一个次顶层金属线的首端和最后一个次顶层金属线的尾端。向第一金属焊垫和第二金属焊垫分别施加一定的电压；测试第一金属焊垫和第二金属焊垫之间的电阻；当电阻的阻值在设定值之外，则判断次顶层金属层出现断裂。本发明能够在大量生产之前，测试出半导体结构的次顶层金属层是否出现断裂，从而提高了半导体结构的质量，还减少了资源的浪费以及减少了工作量。
主权项：1.一种金属层断裂的测试结构，其特征在于，包括：顶层金属层，所述顶层金属层包括多个间隔的顶层金属线，多个所述顶层金属线之间通过介质层隔开；次顶层金属层，所述次顶层金属层位于所述顶层金属层的下方，所述次顶层金属层包括多个间隔的次顶层金属线，多个所述次顶层金属线之间通过介质层隔开，同时，多个所述次顶层金属线依次通过连接线连接在一起；以及第一金属焊垫和第二金属焊垫，所述第一金属焊盘和第二金属焊盘分别连接在第一个所述次顶层金属线的首端和最后一个所述次顶层金属线的尾端。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海华虹宏力半导体制造有限公司 金属层断裂的测试结构及测试金属层断裂的方法
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