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申请/专利权人：昆明理工大学
申请日：2024-01-25
公开（公告）日：2024-05-03
公开（公告）号：CN117963850A
主分类号：C01B19/02
分类号：C01B19/02
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.05.21#实质审查的生效;2024.05.03#公开
摘要：本发明提供了一种粗碲的提纯方法，属于高纯金属制备领域。本发明提供了一种粗碲的提纯方法，包括以下步骤：将结晶器浸入粗碲熔化所得的碲熔体中进行旋转结晶；所述旋转结晶时结晶器的温度低于碲熔体的温度。本发明通过碲熔体旋转产生的界面剪切力实现了液固界面溶质边界层的减薄，促使杂质强制从边界层中排除，从而结晶出高纯碲；通过坩埚旋转促使液固界面附近液相区的温度梯度增大，温度梯度的增大使结晶更快，从而提高了提纯效率。实施例结果表明，本发明提供的提纯方法可将4N碲一步提纯至99.9999％。并且本发明工艺流程简单，无废气、废水、废渣产生。
主权项：1.一种粗碲的提纯方法，其特征在于，包括以下步骤：将结晶器浸入粗碲熔化所得的碲熔体中进行旋转结晶；所述旋转结晶时结晶器的温度低于碲熔体的温度。
全文数据：
权利要求：
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