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申请/专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日：2021-04-21
公开（公告）日：2024-05-03
公开（公告）号：CN115224118B
主分类号：H01L29/423
分类号：H01L29/423;H01L29/78;H01L21/28;H01L21/336
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.05.03#授权;2022.11.08#实质审查的生效;2022.10.21#公开
摘要：本申请提供一种半导体结构及半导体结构的制备方法。该半导体结构包括源区和漏区，所述源区和所述漏区在衬底上间隔设置；栅极氧化层，其设置于所述源区和所述漏区之间；栅极结构，其设置于所述栅极氧化层上；导电插塞，其设置于所述源区和所述漏区的对应位置上；其中，所述栅极结构包括具有倾斜侧面的导电层，所述倾斜侧面朝向所述导电插塞。相比于传统的栅极结构，本申请的方案中，具有倾斜侧面的导电层与导电插塞之间的距离增大，从而降低栅极结构与导电插塞之间的寄生电容，进而降低栅极与源漏区之间的电容，改善器件特性。
主权项：1.一种半导体结构，其特征在于，包括：源区和漏区，所述源区和所述漏区在衬底上间隔设置；栅极氧化层，其设置于所述源区和所述漏区之间；栅极结构，其设置于所述栅极氧化层上；导电插塞，其设置于所述源区和所述漏区的对应位置上；其中，所述栅极结构包括具有倾斜侧面的导电层，所述倾斜侧面朝向所述导电插塞;所述倾斜侧面的中间位置的表面呈阶梯状，其中，所述倾斜侧面的中间位置位于所述倾斜侧面的上边缘和下边缘之间。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 长鑫存储技术有限公司 半导体结构及半导体结构的制备方法
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