申请/专利权人：松山湖材料实验室;中国科学院西安光学精密机械研究所

申请日：2020-08-24

公开（公告）日：2024-05-03

公开（公告）号：CN111986986B

主分类号：H01L21/02

分类号：H01L21/02;H01L21/268;H01L21/78;B23K26/53

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.05.03#授权;2021.10.26#专利申请权的转移;2020.12.11#实质审查的生效;2020.11.24#公开

摘要：本申请提供一种晶圆的剥离方法及剥离装置，涉及激光加工技术领域。其包括：先在晶锭的目标聚焦面上形成多个间隔分布的第一改质层，然后在目标聚焦面上形成第二改质层，第二改质层的数量为一个或多个，第二改质层与第一改质层交替布置且互相连接以共同形成连续的第三改质层，第三改质层沿目标聚焦面贯穿晶锭；以第三改质层作为剥离界面，将作为目标晶圆的部分自晶锭剥离，获得晶圆。上述方法相比于现有的通过激光束一次性直接形成连续的第三改质层方式，可有效减小因激光束连续作用而导致的局部区域热量集中，大幅降低激光加工过程中产生的不利热影响，提高晶圆的剥离质量。

主权项：1.一种晶圆的剥离方法，其包括以下步骤：先在晶锭的目标聚焦面上形成多个间隔分布的第一改质层；然后在所述目标聚焦面上形成第二改质层，所述第二改质层的数量为一个或多个，其中，所述第二改质层与所述第一改质层交替布置且互相连接以共同形成连续的第三改质层，所述第三改质层沿所述目标聚焦面贯穿所述晶锭；以及以第三改质层作为剥离界面，将作为目标晶圆的部分自晶锭剥离，获得所述晶圆；其中，多个间隔分布的第一改质层的形成方法包括：采用多个间隔分布的对所述晶锭具有穿透性波长的激光束同时聚焦于目标聚焦面，沿预设加工路径加工所得；相邻的两个第一改质层之间具有间隔区；多个间隔分布的第二改质层的形成方法包括：采用多个间隔分布的对所述晶锭具有穿透性波长的激光束同时聚焦于目标聚焦面且位于所述间隔区内，沿预设加工路径加工所得，其中，每个所述激光束的脉宽范围为200fs～10ns，波长范围为355nm～1064nm，扫描速度范围为50mms～200mms，其中，形成第一改质层的激光束与形成第二改质层的激光束相同。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 松山湖材料实验室;中国科学院西安光学精密机械研究所 一种晶圆的剥离方法及剥离装置

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