申请/专利权人：昆山龙腾光电股份有限公司

申请日：2022-08-23

公开（公告）日：2024-05-03

公开（公告）号：CN115360141B

主分类号：H01L21/77

分类号：H01L21/77;H01L27/12;H10K59/12;G02F1/1368

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.05.03#授权;2022.12.06#实质审查的生效;2022.11.18#公开

摘要：本发明提供一种金属氧化物薄膜晶体管的制作方法，包括在衬底上形成第一金属材料层、第一绝缘材料层和第二金属材料层；利用第一道黄光制程将第一金属材料层、第一绝缘材料层和第二金属材料层图案化形成第一金属层、第一绝缘层和第二金属层。在衬底上再次依次堆叠形成金属氧化物半导体材料层、第二绝缘材料层和第三金属材料层，利用第二道黄光制程将金属氧化物半导体材料层、第二绝缘材料层和第三金属材料层图案化形成金属氧化物层、第二绝缘层和第三金属层，对未被第二绝缘层覆盖的部分金属氧化物层进行离子掺杂使其导体化以形成分隔设置的第一导体区域和第二导体区域。本发明的制作方法制程简单，有效地缩短了制程的时间成本及材料成本。

主权项：1.一种金属氧化物薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：在衬底10上依次堆叠形成第一金属材料层2、第一绝缘材料层3和第二金属材料层4；利用第一道黄光制程将所述第一金属材料层2、所述第一绝缘材料层3和所述第二金属材料层4图案化形成第一金属层20、第一绝缘层30和第二金属层40，其中，所述第一金属层20和所述第一绝缘层30的图案相同，所述第一金属层20包括遮光层21，所述第一绝缘层30包括位于所述遮光层21上方的绝缘缓冲层31，所述第二金属层40包括第一导电金属图案41，所述第一导电金属图案41覆盖部分的所述绝缘缓冲层31；在形成第二金属层40后的衬底10上再次依次堆叠形成金属氧化物半导体材料层5、第二绝缘材料层6和第三金属材料层7；利用第二道黄光制程将所述金属氧化物半导体材料层5、所述第二绝缘材料层6和所述第三金属材料层7图案化形成金属氧化物层50、第二绝缘层60和第三金属层70，其中，所述第二绝缘层60和所述第三金属层70的图案相同，所述第二绝缘层60覆盖部分的所述金属氧化物层50；对未被所述第二绝缘层60覆盖的部分所述金属氧化物层50进行离子掺杂使其导体化以形成分隔设置的第一导体区域51和第二导体区域52，其中，所述第一导体区域51与所述第一导电金属图案41接触连接；被所述第二绝缘层60覆盖的部分所述金属氧化物层50形成半导体区域53；其中，所述第一导体区域51包括源极511，所述第二导体区域52包括漏极和像素电极，所述第三金属层70包括栅极71。

全文数据：

权利要求：

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