申请/专利权人：长鑫存储技术有限公司

申请日：2020-11-23

公开（公告）日：2024-05-03

公开（公告）号：CN114530493B

主分类号：H01L29/423

分类号：H01L29/423;H01L29/49;H01L21/28

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.05.03#授权;2022.06.10#实质审查的生效;2022.05.24#公开

摘要：本发明实施例提供一种半导体结构及半导体结构的制造方法，半导体结构包括：基底；位于所述基底上的栅极结构，所述栅极结构包括依次层叠设置的第一导电层、阻挡层和第二导电层；其中，所述第一导电层包括第一多晶硅层、第一金属层和第二多晶硅层，且所述第一多晶硅层靠近所述基底，所述第二多晶硅层紧贴所述阻挡层；所述第一金属层位于所述第一多晶硅层与所述第二多晶硅层之间。本发明实施例的栅极结构具有竖直的形貌及较强的电性能。

主权项：1.一种半导体结构，其特征在于，包括：基底；位于所述基底上的栅极结构，所述栅极结构包括依次层叠设置的第一导电层、阻挡层和第二导电层；其中，所述第一导电层包括第一多晶硅层、第一金属层和第二多晶硅层，且所述第一多晶硅层靠近所述基底，所述第二多晶硅层紧贴所述阻挡层；所述第一金属层位于所述第一多晶硅层与所述第二多晶硅层之间；所述第一导电层还包括层叠设置的第三多晶硅层及第二金属层，所述第三多晶硅层靠近所述基底，所述第二金属层位于所述第三多晶硅层及所述第一多晶硅层之间。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 长鑫存储技术有限公司 半导体结构及半导体结构的制造方法

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