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【发明授权】芯片封装方法、芯片封装结构及电子设备_成都奕成集成电路有限公司_202111091975.6 

申请/专利权人:成都奕成集成电路有限公司

申请日:2021-09-17

公开(公告)日:2024-05-03

公开(公告)号:CN113808957B

主分类号:H01L21/48

分类号:H01L21/48;H01L23/498;H01L23/66;H01Q1/22

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2024.05.03#授权;2023.09.01#著录事项变更;2022.01.04#实质审查的生效;2021.12.17#公开

摘要:本申请提供的芯片封装方法、芯片封装结构及电子设备,通过将带有射频芯片的第一封装结构与通过半导体制成工艺整体形成的带有天线结构的第二封装结构进行压合,以形成射频芯片封装结构。由于第二封装结构为通过半导体制成工艺整体形成的,可以更精确地控制第二天线层中各第二天线线路结构的形成位置,从而使第二天线层中的第二天线线路结构和第一天线层中的第一天线线路结构能够精准对位,保证了压合以后整个射频芯片封装的工作信号带宽。

主权项:1.一种芯片封装方法,其特征在于,所述方法包括:提供一第一封装结构,所述第一封装结构包括射频芯片及第一塑封层,所述第一塑封层包裹所述射频芯片且暴露出所述射频芯片具有引脚的一面;在所述第一封装结构暴露出所述射频芯片的引脚的一侧形成重布线层,所述重布线层中至少部分线路结构与所述射频芯片的引脚电性接触且形成扇出结构;在所述重布线层远离所述第一封装结构的一侧形成第二塑封层,所述第二塑封层具有通过贯穿所述第二塑封层且填充有导电材料的第一通孔,所述第一通孔中的导电材料与至少部分所述重布线层的扇出结构电性连接;提供第二封装结构,所述第二封装结构包括电介质层、第一天线层及半导体材料生成的第二天线层,所述第一天线层中的第一天线线路结构在所述第二天线层上的正投影,与所述第二天线层中的第二天线层结构至少部分重合;将所述第二封装结构具有所述第一天线层的一侧与所述第二塑封层进行贴合,使至少部分所述第一天线线路结构通过所述第一通孔中的导电材料与所述重布线层电性连接;所述提供一第一封装结构的步骤,包括:提供待封装的射频芯片;将所述射频芯片具有引脚的一侧通过粘合材料固定在第二临时载板上;在所述射频芯片远离所述第二临时载板的一侧形成包裹所述射频芯片的第一塑封层;去除所述第二临时载板,以暴露出所述射频芯片的引脚,形成所述第二封装结构;所述射频芯片的引脚位置具有导电柱;所述在所述第二封装结构暴露出所述射频芯片的引脚的一侧形成重布线层的步骤,包括:以所述导电柱作为对位标识,在所述第二封装结构暴露出所述射频芯片的引脚的一侧形成重布线层;所述第二封装结构具有第二通孔,所述第二通孔中具有导电材料,至少部分所述第一天线线路结构通过所述第二通孔中的导电材料与至少部分第二天线线路结构电性连接;所述提供第二封装结构的步骤,包括:提供一带核心基板;在所述带核心基板上形成贯穿所述带核心基板的第二通孔;在所述第二通孔中形成导电材料;在所述带核心基板的两侧分别形成绝缘层;在所述带核心基板的两侧的绝缘层上分别形成第一天线层及第二天线层,获得所述第二封装结构;其中,所述第二天线层中的至少部分第二天线线路结构通过所述第二通孔中的导电材料与至少部分所述第一天线线路结构电性连接;或者,所述提供第二封装结构的步骤,包括:提供一第一临时载板;在所述第一临时载板上形成第一天线层;在所述第一天线层远离所述第一临时载板的一侧形成无芯基板;从所述无芯基板远离所述第一天线层的一侧形成贯穿所述无芯基板的第二通孔;从所述无芯基板远离所述第一天线层的一侧形成第二天线层;其中,所述第二天线层中的至少部分第二天线线路结构通过所述第二通孔中与至少部分所述第一天线线路结构电性连接;去除所述第一临时载板,获得所述第二封装结构。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 成都奕成集成电路有限公司 芯片封装方法、芯片封装结构及电子设备

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