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申请/专利权人：长鑫存储技术(西安)有限公司
申请日：2024-01-10
公开（公告）日：2024-05-03
公开（公告）号：CN117542389B
主分类号：G11C11/4091
分类号：G11C11/4091;G11C5/02;G11C5/14;G11C7/06;G11C11/4074;G11C11/4096;H10B12/00
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.05.03#授权;2024.03.01#实质审查的生效;2024.02.09#公开
摘要：本申请提供一种半导体存储器，包括：第一放大模块、第一控制管、第二控制管以及第二放大模块；第一放大模块的至少部分电路结构与第二放大模块的至少部分电路结构相同，第一放大模块与位线和互补位线连接，用于放大位线和互补位线之间的电压差，第二放大模块与本地数据线和互补本地数据线连接，用于放大本地数据线和互补本地数据线之间的电压差，本地数据线通过第一控制管与位线连接，互补本地数据线通过第二控制管与互补位线连接，第一控制管的控制端和第二控制管的控制端接收列选择信号。使得第一放大模块的版图结构和第二放大模块的版图结构相似，可以采用统一的制备工艺进行器件制备，降低工艺难度。
主权项：1.一种半导体存储器，其特征在于，包括：第一放大模块、第一控制管、第二控制管以及第二放大模块；所述第一放大模块的至少部分电路结构与第二放大模块的至少部分电路结构相同；其中，所述第一放大模块的至少部分电路结构与第二放大模块的至少部分电路结构相同是指晶体管的类型和晶体管的位置相同；所述第一放大模块与位线和互补位线连接，用于放大所述位线和所述互补位线之间的电压差；所述第二放大模块与本地数据线和互补本地数据线连接，用于放大所述本地数据线和所述互补本地数据线之间的电压差；所述本地数据线通过所述第一控制管与所述位线连接，所述互补本地数据线通过所述第二控制管与所述互补位线连接，所述第一控制管的控制端和所述第二控制管的控制端接收列选择信号；其中，所述半导体存储器还包括第一驱动电路，所述第一驱动电路与所述第一放大模块连接，所述第一驱动电路用于提供电源信号；所述半导体存储器还包括第一控制区域，所述第一控制区域两侧各设置有半个存储库，所述第一控制区域内设置有行译码电路，用于对所述存储库的行地址进行译码，所述第一驱动电路位于所述第一控制区域内。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 长鑫存储技术(西安)有限公司 半导体存储器
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