龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
申请/专利权人：云南大学
申请日：2024-02-01
公开（公告）日：2024-05-03
公开（公告）号：CN117673187B
主分类号：H01L31/107
分类号：H01L31/107;H01L31/0352;H01L31/18;H01L25/16;H10N97/00
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.05.03#授权;2024.03.26#实质审查的生效;2024.03.08#公开
摘要：本发明提供一种高温自淬灭单光子探测器及制备方法，高温自淬灭单光子探测器是一种能够探测单个光子的光电传感器。高温自淬灭单光子探测器包括：外延层结构，包括依次叠设于衬底上的吸收层、递变层、场控制层和倍增层；淬灭电阻，包括片上集成薄膜电阻，集成在外延层结构表面，用于对雪崩电流进行淬灭，片上集成薄膜电阻材料由绝缘层材料和金属材料共溅射实现；其中，片上集成薄膜电阻被配置为通过调整绝缘介质材料与金属材料的之间的厚度比例来调整薄膜电阻的电阻率。高温自淬灭单光子探测器实现了高温工作的自淬灭，体积小、成本低，后脉冲小、计数率高；并且容易实现不同阻值的阻抗，自淬灭自恢复效果好。
主权项：1.一种高温自淬灭单光子探测器，其特征在于，包括：衬底；外延层结构，包括依次叠设于所述衬底上的吸收层、递变层、场控制层和倍增层；淬灭电阻，集成在所述外延层结构表面，用于对雪崩电流进行淬灭，其中，所述淬灭电阻采用片上集成薄膜电阻，所述片上集成薄膜电阻的材料由绝缘介质材料和金属材料共溅射实现；其中，所述薄膜电阻被配置为通过调整所述绝缘介质材料与所述金属材料的之间的厚度比例来调整所述薄膜电阻的电阻率；其中，所述高温自淬灭单光子探测器的工作温度范围为-10~20℃。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 云南大学 高温自淬灭单光子探测器及制备方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号