申请/专利权人：成都奕成集成电路有限公司

申请日：2021-09-17

公开（公告）日：2024-05-03

公开（公告）号：CN113808956B

主分类号：H01L21/48

分类号：H01L21/48;H01L21/56;H01L23/31;H01L23/498;H01L23/66;H01Q1/22

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.05.03#授权;2023.09.01#著录事项变更;2022.01.04#实质审查的生效;2021.12.17#公开

摘要：本申请提供一种芯片封装方法、芯片封装结构及电子设备，通过在对射频芯片进行封装过程形成天线结构时，在第一天线层上形成第三塑封层作为电介质层，然后在第三塑封层上通过光刻的方式形成半导体材料的第二天线层。如此，可以更精确地控制第二天线层中各第二天线线路结构的形成位置，从而使第二天线层中的第二天线线路结构和第一天线层中的第一天线线路结构能够精准对位，保证了射频芯片的工作信号带宽。

主权项：1.一种芯片封装方法，其特征在于，所述方法包括：提供一过渡封装结构，所述过渡封装结构包括射频芯片及第一塑封层，所述第一塑封层包裹所述射频芯片且暴露出所述射频芯片具有引脚的一面；在所述过渡封装结构暴露出所述射频芯片的引脚的一侧形成重布线层，所述重布线层中至少部分线路结构与所述射频芯片的引脚电性连接且形成扇出结构；在所述重布线层远离所述过渡封装结构的一侧形成第二塑封层，并在所述第二塑封层远离所述重布线层的一侧形成第一天线层；所述第一天线层中的第一天线线路结构通过贯穿所述第二塑封层且填充有导电材料的第一通孔与所述重布线层的至少部分扇出结构电性连接；在所述第一天线层远离所述第二塑封层的一侧形成第三塑封层；在所述第三塑封层远离所述第一天线层的一侧通过光刻方式形成半导体材料的第二天线层；所述第二天线层中具有第二天线线路结构，所述第二天线线路结构在所述第一天线层上的正投影与所述第一天线线路结构至少部分重合；所述在所述第三塑封层远离所述第一天线层的一侧形通过光刻方式成第二天线层的步骤之前，所述方法还包括：在第三塑封层上与至少部分所述第一天线线路结构对应的位置形成贯穿所述第三塑封层且填充有导电材料的第二通孔；所述第二天线层中的至少部分第二天线线路结构通过所述第二通孔中的导电材料与至少部分所述第一天线线路结构电性连接；所述在所述第三塑封层远离所述第一天线层的一侧通过光刻方式形成第二天线层的步骤，包括：以所述第二通孔作为对位标识，在所述第三塑封层远离所述第一天线层的一侧形通过光刻方式成第二天线层；所述在所述第三塑封层远离所述第一天线层的一侧通过光刻方式形成半导体材料的第二天线层的步骤，包括：在所述第三塑封层上形成半导体导电材料层，并在所述半导体导电材料上形成光阻涂布层；配合预设的掩膜板对所述光阻涂布层进行曝光，并去除所述光阻涂布层被曝光的部分；对所述半导体导电材料层进行刻蚀，去除所述半导体导电材料层未被所述光阻涂布层覆盖的部分，以形成所述第二天线线路结构；所述射频芯片的引脚位置具有导电柱；所述在所述过渡封装结构暴露出所述射频芯片的引脚的一侧形成重布线层的步骤，包括：以所述导电柱作为对位标识，在所述过渡封装结构暴露出所述射频芯片的引脚的一侧形成重布线层。

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权利要求：

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