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申请/专利权人：德州仪器公司
申请日：2018-12-05
公开（公告）日：2024-05-03
公开（公告）号：CN111316546B
主分类号：H02M3/135
分类号：H02M3/135
优先权：["20171205 US 15/831,623"]
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.05.03#授权;2020.10.30#实质审查的生效;2020.06.19#公开
摘要：电路100包括第一集成电路管芯和第二集成电路管芯。第一集成电路管芯具有功率场效应晶体管FET142和耦合到功率FET142的下拉FET120。第二集成电路管芯具有耦合到功率FET142的上拉FET150。
主权项：1.一种集成电路封装，其包括：a接地引线框、电压输入和输出端子；b驱动器电路管芯，其安装在所述接地引线框上，所述驱动器电路管芯具有接合焊盘，所述接合焊盘包含第一驱动器接合焊盘、第二驱动器接合焊盘、第三驱动器接合焊盘和第四驱动器接合焊盘；c低侧功率管芯，其与所述驱动器电路管芯分离，所述低侧功率管芯安装在所述接地引线框上，所述低侧功率管芯包含：低侧功率晶体管，其具有漏极，具有耦合到第一低侧接合焊盘的栅极，且具有耦合到所述接地引线框的源极；及低侧下拉晶体管，其具有耦合到所述低侧功率晶体管的所述栅极的漏极，具有耦合到第二低侧接合焊盘的栅极，且具有耦合到所述接地引线框的源极；d低侧夹，其设置在所述低侧功率管芯上，所述低侧夹耦合到所述低侧功率晶体管的所述漏极且耦合到所述输出端子；e高侧功率管芯，其与所述驱动器电路管芯分离且与所述低侧功率管芯分离，所述高侧功率管芯包含：高侧功率晶体管，其具有漏极，具有耦合到第一高侧接合焊盘的栅极，且具有穿过所述低侧夹耦合到所述输出端子的源极；及高侧下拉晶体管，其具有耦合到所述高侧功率晶体管的所述栅极的漏极，具有耦合到第二高侧接合焊盘的栅极，且具有穿过所述低侧夹耦合到所述输出端子的源极；f高侧夹，其设置在所述高侧功率管芯上，所述高侧夹耦合到所述高侧功率晶体管的所述漏极且耦合到所述电压输入；及g从所述第一驱动器接合焊盘延伸到所述第一高侧接合焊盘的第一接合线，从所述第二驱动器接合焊盘延伸到所述第二高侧接合焊盘的第二接合线，从所述第三驱动器接合焊盘延伸到所述第一低侧接合焊盘的第三接合线，以及从所述第四驱动器接合焊盘延伸到所述第二低侧接合焊盘的第四接合线。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 德州仪器公司 具有集成下拉晶体管的功率单元
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