申请/专利权人：美光科技公司

申请日：2020-04-09

公开（公告）日：2024-05-03

公开（公告）号：CN111799260B

主分类号：H10B12/00

分类号：H10B12/00

优先权：["20190409 US 16/379,365"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.05.03#授权;2020.11.06#实质审查的生效;2020.10.20#公开

摘要：本申请案涉及集成组合件和集成存储器。一些实施例包含集成组合件。所述集成组合件具有第一晶体管，其位于第一源极漏极区与第二源极漏极区之间的水平延伸的沟道区；具有第二晶体管，其具有位于第三源极漏极区与第四源极漏极区之间的垂直延伸的沟道区；且具有位于所述第一和第二晶体管之间的电容器。所述电容器具有第一电极、第二电极，以及位于所述第一和第二电极之间的绝缘材料。所述第一电极与所述第一源极漏极区电连接，且所述第二电极与所述第三源极漏极区电连接。数字线与所述第二源极漏极区电连接。导电结构与所述第四源极漏极区电连接。

主权项：1.一种集成组合件，其包括：第一晶体管，其具有位于第一源极漏极区与第二源极漏极区之间的水平延伸的沟道区；第二晶体管，其具有位于第三源极漏极区与第四源极漏极区之间的垂直延伸的沟道区，所述垂直延伸的沟道区、所述第三源极漏极区和所述第四源极漏极区安置在半导体导柱内；电容器，其具有第一电极、第二电极，以及位于所述第一和第二电极之间的绝缘材料；所述第一电极与所述第一源极漏极区电连接，且所述第二电极与所述第三源极漏极区电连接且与所述半导体导柱直接物理接触；数字线，其与所述第二源极漏极区电连接；以及导电结构，其与所述第四源极漏极区电连接。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 美光科技公司 集成组合件和集成存储器

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