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申请/专利权人：宜普电源转换公司
申请日：2020-04-21
公开（公告）日：2024-05-03
公开（公告）号：CN113785492B
主分类号：H03K17/687
分类号：H03K17/687;H03K17/00;H03K17/51;H03K17/56
优先权：["20190429 US 62/839,982"]
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.05.03#授权;2021.12.28#实质审查的生效;2021.12.10#公开
摘要：一种用于光雷达应用的激光二极管驱动器，其具有包含两个增强模式GaNFET的输出级。输出级包括传统公共源极配置中的驱动器GaNFET，具有与激光二极管的阴极连接的漏极、及连接至接地的源极。驱动器GaNFET的栅极系通过源极跟随器配置中的第二、实质更小GaNFET的源极来驱动，而不是直接通过预驱动器来驱动。源极跟随器GaNFET的漏极连接至公共源极驱动器GaNFET的漏极，类似于双载子装置中使用的达灵顿Darlington连接。于源极跟随器GaNFET的栅极施加来自预驱动器的输入驱动信号。藉此，透过激光二极管从主电力供应器汲取接通驱动器GaNFET所需的电流，而不是从用于预驱动器的电力供应器汲取，使总体电流效率提升。
主权项：1.一种用于负载的驱动器电路，所述负载具有连接至第一供应电压的第一端子和第二端子，所述驱动器电路包括：第一FET，其连接于公共源极配置中，具有与所述负载的所述第二端子相连接的漏极、连接至接地的源极、以及用于接收栅极驱动电流的栅极；第二FET，其连接于源极跟随器配置中，具有与所述负载的所述第二端子相连接的漏极、与所述第一FET的栅极相连接的源极、以及栅极；以及预驱动器，其由第二供应电压供电，并且具有用于接收控制信号的输入以及与所述第二FET的栅极相连接的输出，使得所述预驱动器根据所述控制信号来驱动所述第二FET，以及所述第一FET的所述栅极驱动电流由所述第一供应电压来提供，并流经所述负载且流经所述第二FET。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 宜普电源转换公司 具有栅极电流重用的氮化镓激光二极管驱动场效晶体管
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