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【发明公布】用于减小写入位置处的垂直场的双FGL和双SPL自旋电子设备_西部数据技术公司_202311346122.1 

申请/专利权人:西部数据技术公司

申请日:2023-10-17

公开(公告)日:2024-05-07

公开(公告)号:CN117998969A

主分类号:H10N50/10

分类号:H10N50/10;H10N50/80;H10N50/85;H10B61/00

优先权:["20221101 US 63/421,486","20230725 US 18/226,109"]

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2024.05.24#实质审查的生效;2024.05.07#公开

摘要:本公开整体涉及包括磁记录头的磁记录设备。该磁记录头包括主极、屏蔽件以及设置在该主极和该屏蔽件之间的自旋电子设备。该自旋电子设备包括两个场生成层FGL、两个自旋极化层SPL和两个自旋抑制层。该自旋电子设备还包括被设置成与该自旋抑制层中的至少一者接触的一个或多个任选薄负β材料层,诸如包括FeCr的层。当施加电流时,该自旋抑制层和任选负β材料层消除或减小该FGL与该SPL之间的任何自旋转矩。

主权项:1.一种磁记录头,包括:屏蔽件;主极;和自旋电子设备,所述自旋电子设备设置在屏蔽件和主极之间,所述自旋电子设备包括:第一自旋抑制层,所述第一自旋抑制层邻近所述屏蔽件设置;第一自旋极化层,所述第一自旋极化层设置在所述第一自旋抑制层和所述主极之间;第一场生成层,所述第一场生成层设置在所述第一自旋极化层和所述主极之间;第二自旋极化层,所述第二自旋极化层设置在所述第一场生成层和所述主极之间;第二自旋抑制层,所述第二自旋抑制层设置在所述第二自旋极化层和所述主极之间;第一负β材料层,所述第一负β材料层设置在所述第二自旋抑制层和所述主极之间;和第二场生成层,所述第二场生成层设置在所述第一负β材料层和所述主极之间。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 西部数据技术公司 用于减小写入位置处的垂直场的双FGL和双SPL自旋电子设备

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