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申请/专利权人：浙江超晶晟锐光电有限公司
申请日：2024-01-22
公开（公告）日：2024-05-07
公开（公告）号：CN117995942A
主分类号：H01L31/18
分类号：H01L31/18;C23C14/06;C23C14/58;C23C14/54;C23C14/24;H01L31/0216;H01L31/0232;H01L31/0352
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.05.24#实质审查的生效;2024.05.07#公开
摘要：本发明公开了一种二类超晶格红外探测芯片增透膜镀膜方法，采用真空镀膜方法在衬底片表面交替镀制由硫化锌和氟化镁形成的三组六层复合膜层，在全部镀膜程序完成之后进行梯度保温老化处理。采用本发明提供的镀膜方法获得的增透膜透过率高、膜层稳定性高、作用于探测器的信号增幅大。本发明的镀膜方法所用镀膜材料只有两种，且镀膜工艺相对简单，可广泛应用于二类超晶格红外探测器中光电芯片的衬底部分，实现背增透效果。
主权项：1.一种二类超晶格红外探测芯片增透膜镀膜方法，其特征在于，包含如下步骤：1采用真空镀膜方法在洁净的衬底片表面按照第一层ZnS488nm、第二层MgF2834nm、第三层ZnS231nm、第四层MgF2184nm、第五层ZnS535nm、第六层MgF2810nm进行膜层镀制，得到ZnSMgF2的三组六层复合膜层；2在全部镀膜程序完成之后进行梯度保温老化处理：首先降温至90℃并持温15分钟，然后降温至70℃并持温15分钟，第三次再降温至50℃并持温15分钟，最后自然降温至室温并在真空环境下保存4小时。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 浙江超晶晟锐光电有限公司 二类超晶格红外探测芯片增透膜镀膜方法
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