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申请/专利权人：苏州微骏瑞芯精密科技有限公司
申请日：2024-02-18
公开（公告）日：2024-05-07
公开（公告）号：CN117987896A
主分类号：C25D11/08
分类号：C25D11/08;C23C14/00;C23C16/00
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.05.24#实质审查的生效;2024.05.07#公开
摘要：本发明公开了一种工艺腔室和半导体薄膜沉积设备，该工艺腔室包括腔室本体（1）、连接在所述腔室本体（1）上的点火头（2）、进气腔（3）和出气腔（4），所述腔室本体（1）、进气腔（3）和出气腔（4）的内壁覆有致密多阻挡层的阳极氧化膜，所述点火头（2）的内壁覆有硬质阳极氧化膜。本发明通过在点火头部位保留膜层较厚的硬质阳极氧化膜工艺，以确保抵抗点火时产生的高强度离子轰击和一定的耐腐蚀性；在其他部位，离子轰击强度较弱，对耐腐蚀性的要求更高，则采用致密多阻挡层的阳极氧化膜工艺，致密多阻挡层的阳极氧化膜致密性高，因此耐腐蚀性强，同时可以提高氢离子的存活率，从而提升设备的沉积率，沉积率可提升4‑5倍。
主权项：1.一种工艺腔室，包括腔室本体（1）、连接在所述腔室本体（1）上的点火头（2）、进气腔（3）和出气腔（4），其特征在于，所述腔室本体（1）、进气腔（3）和出气腔（4）的内壁覆有致密多阻挡层的阳极氧化膜，所述点火头（2）的内壁覆有硬质阳极氧化膜。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 苏州微骏瑞芯精密科技有限公司 工艺腔室和半导体薄膜沉积设备
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