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申请/专利权人：中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
申请日：2024-02-27
公开（公告）日：2024-05-07
公开（公告）号：CN117991328A
主分类号：G01T3/00
分类号：G01T3/00
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.05.24#实质审查的生效;2024.05.07#公开
摘要：本发明提供了一种宽能谱中子位移损伤强度的确定装置及方法，该装置包括：测量电路、控制模块；测量电路包括硅三极管、源表；硅三极管和源表连接；源表与控制模块连接；通过宽能谱中子源向硅三极管进行宽能谱中子辐照；在达到各预设宽能谱中子注量时向源表发送测量指令；以使源表向硅三极管的发射极和集电极施加偏置电压、基极施加预设电流；在施加完成后测量硅三极管的集电极电流；根据各集电极电流、预设电流，确定宽能谱中子注量与硅三极管的放大系数的倒数变化量之间的系数；根据该系数，计算待确定半导体器件的宽能谱中子位移损伤强度。能够避免通过测量中子能谱数据来计算此种宽能谱中子的位移损伤。
主权项：1.一种宽能谱中子位移损伤强度的确定装置，其特征在于，所述宽能谱中子位移损伤强度的确定装置包括：测量电路、控制模块；所述测量电路包括硅三极管、源表；所述硅三极管和所述源表连接；所述源表与所述控制模块连接；所述控制模块，用于通过宽能谱中子源向所述硅三极管进行宽能谱中子辐照；在达到各预设宽能谱中子注量时，向所述源表发送测量指令；其中，所述宽能谱中子为高能中子；所述源表，用于在接收到所述测量指令后，向所述硅三极管的发射极和集电极施加偏置电压，并向所述硅三极管的基极施加预设电流；所述控制模块，还用于在所述源表施加完成所述偏置电压和所述预设电流之后，测量所述硅三极管在各预设宽能谱中子注量下的集电极电流；所述控制模块，还用于根据所述硅三极管在各预设宽能谱中子注量下的集电极电流、所述预设电流，确定宽能谱中子注量与所述硅三极管的放大系数的倒数变化量之间的系数；所述控制模块，还用于根据所述宽能谱中子注量与所述硅三极管的放大系数的倒数变化量之间的系数，计算待确定半导体器件的宽能谱中子位移损伤强度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室)) 一种宽能谱中子位移损伤强度的确定装置及方法
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