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申请/专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日：2022-11-01
公开（公告）日：2024-05-07
公开（公告）号：CN117995640A
主分类号：H01J37/32
分类号：H01J37/32;C23C14/02
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.05.24#实质审查的生效;2024.05.07#公开
摘要：本发明公开一种半导体工艺设备，包括工艺腔室、电感装置和屏蔽装置；其中：工艺腔室具有工艺内腔，工艺腔室包括绝缘筒，电感装置环绕绝缘筒设置，屏蔽装置设于工艺内腔中，且被绝缘筒围绕；屏蔽装置包括第一屏蔽件和第二屏蔽件，第一屏蔽件和第二屏蔽件均在绝缘筒的周向上沿绝缘筒的内壁延伸；第一屏蔽件和第二屏蔽件活动配合，以使屏蔽装置可在第一状态与第二状态之间切换；在第一状态下，第二屏蔽件与第一屏蔽件围成法拉第笼结构，以允许电感装置产生的磁场进入工艺内腔以及阻止电感装置产生的电场进入工艺内腔；在第二状态下，第二屏蔽件与第一屏蔽件形成电场通过区域，以允许电感装置产生的电场进入工艺内腔。
主权项：1.一种半导体工艺设备，其特征在于，包括工艺腔室100、电感装置200和屏蔽装置300；其中：所述工艺腔室100具有工艺内腔111，所述工艺腔室100包括绝缘筒120，所述电感装置200环绕所述绝缘筒120设置，所述屏蔽装置300设于所述工艺内腔111中，且被所述绝缘筒120围绕；所述屏蔽装置300包括第一屏蔽件310和第二屏蔽件320，所述第一屏蔽件310和所述第二屏蔽件320均在所述绝缘筒120的周向上沿所述绝缘筒120的内壁延伸；所述第一屏蔽件310和所述第二屏蔽件320活动配合，以使所述屏蔽装置300可在第一状态与第二状态之间切换；在所述第一状态下，所述第二屏蔽件320与所述第一屏蔽件310围成法拉第笼结构，以允许所述电感装置200产生的磁场进入所述工艺内腔111以及阻止所述电感装置200产生的电场进入所述工艺内腔111；在所述第二状态下，所述第二屏蔽件320与所述第一屏蔽件310形成电场通过区域，以允许所述电感装置200产生的电场进入所述工艺内腔111。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京北方华创微电子装备有限公司 半导体工艺设备
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