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申请/专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日：2023-10-27
公开（公告）日：2024-05-07
公开（公告）号：CN117990746A
主分类号：G01N27/12
分类号：G01N27/12
优先权：["20221103 DE 102022211626.7"]
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.05.24#实质审查的生效;2024.05.07#公开
摘要：本申请涉及一种用于借助传感器芯片10测量氢的半导体设备20，传感器芯片具有传感器层14，传感器层在与氢接触时改变其机械应力。传感器芯片10还具有用于检测应力变化的传感器16，其中半导体设备20的结构为传感器层14和或传感器16提供免受其他机械应力的保护。本申请还涉及一种用于测量氢浓度的方法。
主权项：1.一种用于借助传感器芯片10测量氢的半导体设备20，所述传感器芯片具有传感器层14，所述传感器层在与氢接触时改变其机械应力，并且其中所述传感器芯片10还具有用于检测应力变化的传感器16，其中所述半导体设备20的结构为所述传感器层14和或所述传感器16提供免受其他机械应力的保护。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 英飞凌科技股份有限公司 用于氢测量的半导体设备和测量介质中的氢浓度的方法
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